삼성전자, AI 메모리 미래 공개…'HBM 다음' 3D 메모리 첫선

AI 반도체 위에 메모리 쌓는 'zHBM' 400단 이상 차세대 낸드도 첫 공개 [아이뉴스24 박지은 기자] 삼성전자가 인공지능(AI) 시대를 겨냥한 차세대 메모리 기술을 공개했다.현재 주력인 고대역폭메모리(HBM)를 넘어 메모리를 반도체 위에 직접 쌓는 새로운 구조를 선보이며 'HBM 다음 세대' 시장 선점에 나섰다.삼성전자의 V10 BV-NAND 제품 [사진=삼성전자]삼성전자는 4~6일(현지시간) 미국 캘리포니아주 산타클라라에서 열린 'FMS(Future of Memory and Storage) 2026'에서 차세대 메모리 기술인 'zHBM'과 'zNAND-O'를 업계 최초로 공개했다고 밝혔다.행사 첫날에는 이진엽 플래시개발실 부사장과 김경륜 D램개발실 상무가 기조연설을 통해 AI 시대 메모리 기술 방향을 소개했다. 이들은 차세대 메모리 기술과 함께 400단 이상을 쌓은 10세대 'V10 BV-낸드(V-NAND)'도 처음 공개했다.가장 눈길을 끈 것은 zHBM이다. 지금까지는 AI 가속기 옆에 HBM을 붙였다면, 앞으로는 AI 가속기 위에 메모리를 층층이 쌓는 방식이다. 메모리와 반도체 사이 거리가 짧아져 데이터를 더 빠르게 주고받을 수 있고 전력 소모도 줄일 수 있다.삼성전자는 zHBM을 적용하면 현재 개발 중인 HBM5보다 성능은 최대 8배 높아지고, 전력효율은 최대 3배 개선된다고 설명했다. 열 저항도 절반 이상 낮아져 AI 데이터센터처럼 전력과 발열 관리가 중요한 환경에 적합하다는 설명이다.낸드플래시 분야에서는 차세대 솔루션인 zNAND-O도 선보였다. 여러 개의 낸드 칩을 수직으로 쌓아 공간 활용도를 높이고 데이터 처리 속도를 끌어올린 것이 특징이다. 실시간 AI 연산처럼 대용량 데이터를 빠르게 처리해야 하는 환경을 겨냥했다.삼성전자는 400단 이상을 구현한 V10 BV-낸드도 공개했다. 데이터를 저장하는 셀과 회로를 따로 만든 뒤 붙이는 새로운 제조 기술을 적용해 같은 면적에 더 많은 데이터를 저장할 수 있도록 했다. 읽기·쓰기 성능과 입출력(I/O) 속도도 높여 AI 데이터센터용 저장장치 시장 공략에 나선다는 계획이다.이와 함께 HBM4E와 HBM5, 프로세싱인메모리(PIM)를 적용한 LPDDR5X-PIM, 기업용 솔리드스테이트드라이브(SSD) 등 차세대 AI 메모리 제품군도 함께 전시했다. 메모리뿐 아니라 시스템반도체(로직), 파운드리, 첨단 패키징까지 제공하는 '원스톱 솔루션'도 강조했다.업...