삼성전자, 'FMS 2026'서 V낸드·AI 메모리로 2개 부문 수상

400단 이상 'V10 BV-낸드', 적층도 높이고 전력·발열 낮춰 LPDDR5X에 연산 기술 결합⋯AI 가속기·HPC용 메모리로 주목 [아이뉴스24 황세웅 기자] 삼성전자가 세계적인 메모리 기술 컨퍼런스 'FMS 2026'에서 차세대 낸드플래시와 인공지능(AI) 메모리 기술을 인정받아 2개 부문을 수상했다.삼성전자는 FMS 2026 기간 열린 'FMS 어워드'에서 'V10 BV-낸드'로 3D 낸드 혁신상을, 'LPDDR5X-PIM'으로 차세대 메모리상을 각각 받았다고 6일 밝혔다.삼성전자 'FMS 2026 어워드' 2개 부문 수상. [사진=연합뉴스]V10 BV-낸드는 400단 이상을 쌓은 차세대 V낸드 기술이다. 웨이퍼를 수직으로 접합하는 '본딩 버티컬' 기술과 V낸드 셀을 3개 층으로 연결하는 3-스택 구조를 적용했다.이를 통해 제한된 면적에 더 많은 데이터를 저장하면서도 전력 소비와 발열을 줄인 것이 특징이다. 낸드 적층 수가 높아질수록 공정 난도가 커지는 가운데 고용량과 전력효율을 동시에 높였다는 평가다.LPDDR5X-PIM은 저전력 D램인 LPDDR5X에 메모리 내부 연산 기술인 '프로세싱 인 메모리(PIM)'를 적용한 제품이다. 데이터를 외부 프로세서로 반복 이동하지 않고 메모리 안에서 직접 연산을 처리해 데이터 이동량과 전력 소모를 줄일 수 있다.해당 기술은 대규모 데이터를 처리하는 AI 가속기와 고성능컴퓨팅(HPC) 시스템의 성능·전력효율을 높이는 데 활용될 것으로 평가받고 있다.한편 삼성전자는 6일(현지시간)까지 열리는 FMS 2026에서 차세대 메모리 로드맵과 AI 메모리 솔루션, 차세대 스토리지 기술을 선보일 예정이다./황세웅 기자([email protected]) 포토뉴스