삼성전자, zHBM·HBM5·400단 낸드 공개…AI 시대 메모리 진화

美 FMS서 차세대 메모리 로드맵 공개 AI 반도체부터 데이터센터까지 겨냥 [아이뉴스24 박지은 기자] 인공지능(AI)이 똑똑해질수록 반도체는 더 많은 데이터를 더 빠르게 처리해야 한다. 문제는 메모리가 이를 따라가지 못하고 있다는 점이다. 삼성전자는 AI 시대 메모리 한계를 극복할 차세대 기술을 공개했다.삼성전자는 4일(현지시간) 미국 캘리포니아주 산타클라라에서 열린 'FMS(Future of Memory and Storage) 2026'에서 차세대 고대역폭메모리(HBM)인 'zHBM'과 'HBM5', 400단 이상 'V10 BV-낸드(V-NAND)', 차세대 낸드 구조인 'zNAND-O' 등을 선보였다.4일(현지시간) 미국 실리콘밸리에서 열린 'FMS 2026'에서 김경륜 삼성전자 D램개발실 상무가 발표를 하고 있다. [사진=삼성전자]AI 칩 성능 높이는 'zHBM'…메모리를 더 가까이가장 눈길을 끈 것은 zHBM이다.지금까지는 AI 가속기와 HBM을 나란히 배치했다면, zHBM은 AI 가속기 위에 메모리를 직접 쌓는 구조다. 데이터 이동이 줄어 처리 속도는 빨라지고 전력 소모와 발열은 낮아진다.쉽게 말해 AI가 필요한 데이터를 찾기 위해 멀리 오갈 필요가 없도록 만든 것이다. AI 모델이 갈수록 커지는 상황에서 엔비디아와 AMD, 구글 등 차세대 AI 반도체에 적용될 기술로 기대를 모으고 있다.삼성전자의 zHBM 목업 [사진=삼성전자]삼성전자는 zHBM이 HBM5보다 최대 8배 높은 성능을 구현할 수 있다고 설명했다. 또 메모리와 AI 가속기 사이에 고객이 원하는 기능(IP)을 추가할 수 있어 AI 반도체에 맞춘 맞춤형 설계도 가능하다.이진엽 삼성전자 메모리사업부 플래시제품·기술 총괄 부사장은 이날 기조연설에서 "AI 시대에는 메모리와 컴퓨트가 하나의 시스템처럼 함께 설계돼야 한다"며 차세대 메모리 구조 혁신의 중요성을 강조했다.HBM5도 함께 공개했다. HBM5는 기존 HBM4E보다 성능을 두 배 높이고 열 저항은 20% 낮춘 제품이다. 새로운 열 관리 기술인 '열 경로 블록(HPB)'을 적용해 발열을 줄이고 안정성을 높였다.4일(현지시간) 미국 실리콘밸리에서 열린 'FMS 2026'에서 이진엽 삼성전자 Flash개발실 부사장이 발표를 하고 있다. [사진=삼성전자]AI가 계산하면 낸드는 저장…400단 기술로 경쟁력 강화삼성전자는 HBM뿐 아니라 낸드 기술도 대폭 강화했다.HBM이 AI가 계산하는 메모리라...