상온에서 다층 그래핀 제작→차세대 복합도체 만든다

KERI 연구팀, 기존 시스템 단점 극복 [아이뉴스24 정종오 기자] 한국전기연구원(KERI) 전력케이블연구센터 연구팀(김호섭 박사, 남수현 연구원)이 산업 현장에서 널리 쓰이는 코팅 장비인 ‘스퍼터링(Sputtering)’을 개조해 별도의 가열 과정 없이 상온에서 한두 겹 수준의 매우 얇은 ‘그래핀’부터 여러 겹이 차곡차곡 쌓인 ‘그래파이트(흑연)’ 박막까지 기판 위에 직접 성장시키는 기술을 개발했다.최근 전기차와 인공지능(AI) 데이터센터 등 각종 전력기기가 갈수록 더 많은 전기를 사용하면서 같은 크기의 도체라도 전력 손실과 열 발생을 줄일 새로운 소재가 필요해졌다. 이때 탄소 원자가 벌집 모양으로 배열된 얇은 신소재인 ‘그래핀’의 장점을 구리와 결합하면 완벽한 차세대 도체가 될 수 있다.기존 화학기상증착(CVD) 방식으로 만든 고품질 그래핀은 다른 소재 위로 옮겨 붙여야 하는 까다로운 ‘전사 공정’이 필요했다. 넓은 면적으로 구현하거나 금속과 여러 번 번갈아 쌓아야 하는 등 산업 현장에 적용하기 쉽지 않았다.KERI 연구팀이 최적의 그래핀 합성 환경을 구현하고자 K-sputtering 장비 내의 잔류 가스를 정밀 분석하고 있다. [사진=kERI]KERI 연구팀은 반도체나 디스플레이 등 기존 산업에서 널리 쓰이는 ‘스퍼터링’ 기술에 주목했다. 스퍼터링은 재료를 아주 작은 입자로 떼어내 기판 위에 쌓는 방식이라 매우 편리한데 탄소를 이 방식으로 증착할 경우 원자 배열이 흐트러지며 무질서한 막으로 굳어버리기 쉬웠다. 이 때문에 원자들이 규칙적으로 배열된 고품질 그래핀을 스퍼터링으로 직접 만드는 것은 매우 어려운 과제로 여겨졌다.김호섭 박사팀은 수많은 실험과 축적된 경험을 바탕으로 스퍼터링 과정에서 눈에 보이지 않게 이동하는 탄소 입자들의 흐름과 거동을 치밀하게 분석했다. 그래핀 구조 형성을 방해하는 근본 원인을 찾아내고 기판 위에서 탄소 입자가 배열되는 조건을 세밀하게 조절한 ‘직류(DC) 기반의 K-sputtering’ 장치와 공정을 독자 개발해 냈다.이번 성과는 기존 박막 제조 기술(스퍼터링) 하나만으로 고품질의 다층 그래핀을 상온에서 직접 생산할 수 있는 새로운 길을 열었다는 데 의의가 있다. 이 기술을 활용하면 별도의 복잡한 전사 공정 없이 하나의 장비 안에서 구리 같은 금속과 그래핀을 원하는 만큼 번갈아 쌓을 수 있다. 앞으로 ‘초고성능 복합도체’를 대량 생산하기 위한 핵심 제조 원천기술의 기반을 다지...