AI칩 커지자 '브리지' 뜬다…삼성전기·LG이노텍, 대면적 기판 승부[현장]

삼성전기 2.1D '브리지 임베딩'…인텔 EMIB-T 확산에 공급망 재편 LG이노텍, 120㎜급 AI 기판 첫선…양사 베트남 증설·유리기판 2028년 [아이뉴스24 권서아 기자] 인공지능(AI) 반도체가 고성능화·대형화하면서 칩을 받치는 패키지기판도 함께 커지고 있다.엔비디아·AMD 등의 그래픽처리장치(GPU)와 삼성전자·SK하이닉스의 고대역폭메모리(HBM) 등 여러 칩을 한 패키지에 연결해야 해 기판 면적과 층수, 회로 집적도를 높이는 기술이 중요해지고 있어서다.삼성전기와 LG이노텍은 이달 9~11일 인천 송도컨벤시아에서 열린 '국제 반도체 기판 및 첨단 패키징 산업전(KPCA Show 2026)'에서 차세대 기판 기술을 선보였다.'KPCA Show 2026' 삼성전기 부스(왼쪽)와 LG이노텍 부스. 2026.09.10 [사진=권서아 기자]삼성전기가 전면에 내세운 것은 2.1차원(2.1D) 패키지기판이다. 현재 AI 가속기에 많이 쓰이는 2.5차원(2.5D)은 GPU와 HBM 등을 대형 실리콘 인터포저 위에 올린다. 여기서 실리콘 인터포저는 반도체 칩과 기판 사이에서 신호를 전달하는 중간 부품이다.문제는 수량과 가격이다. 현장에서 만난 관계자는 "반도체 칩이 커질수록 인터포저까지 커져야 하는데, 실리콘 인터포저는 면적당 단가가 높은 데다 크기가 커질수록 정상품 비율인 수율이 낮아져 원가 부담이 높아진다"고 설명했다.2.1D는 이 부담을 낮추는 기술이다. 삼성전기는 2.5D와 달리 대형 실리콘 인터포저를 없애는 대신, 기판 안에 필요한 부분만 작은 실리콘 브리지(다리)를 넣는 '브리지 임베딩'과 기판 자체에 미세 재배선층(RDL)을 만드는 방식을 개발하고 있다.삼성전기가 공개한 2.5D(왼쪽)·2.1D 패키지 구조. 2.1D는 대형 실리콘 인터포저 의존도를 낮춘다. [사진=권서아 기자]이 가운데 브리지 임베딩은 미국 반도체 기업 인텔의 EMIB와 같은 방향의 기술이다. 대형 인터포저 대신 필요한 부분에만 실리콘 브리지를 심어 GPU와 HBM 등 칩을 연결한다.현장에서 만난 관계자는 "인터포저를 줄이면 엔비디아나 AMD 같은 고객 입장에서는 원가를 낮출 수 있고 기판 업체는 더 많은 기능을 가져오게 된다"고 설명했다.인텔은 기존 EMIB에 실리콘관통전극(TSV)을 더한 차세대 'EMIB-T' 적용을 확대하고 있다. 브리지 내부에 TSV를 넣어 기판에서 칩으로 전력을 보다 직접 전달해 전력 효율과 신호 성능을 높이...