SK하이닉스 'ICE·TSMC 협력' vs 삼성 '원스톱·빛'…패키징 격돌

권서아 기자 입력 2026.08.28 10:00 SK하닉, HBM에 ICE 넣어 열저항 30% 이상 낮춰 HBM4 로직 베이스다이, 대만 TSMC와 협업 확대 삼성, 메모리·파운드리·패키징 '원스톱'...'빛' 기술도 확대 [아이뉴스24 권서아 기자] 삼성전자와 SK하이닉스가 인공지능(AI) 반도체 성능을 좌우하는 첨단 패키징(반도체 후공정)에서 서로 다른 기술 전략을 선보였다.메모리에 집중하는 SK하이닉스는 고대역폭 메모리(HBM)를 더 높이 쌓고 열을 효과적으로 빼내는 냉각 소자인 'ICE' 기술을 고도화했다. 현재 제품인 HBM4(6세대)부터는 삼성전자 파운드리(반도체 위탁생산) 사업부의 경쟁사이자 세계 1위 파운드리 대만 TSMC와 로직 베이스다이(HBM 맨 아래에서 신호를 처리하는 층)·2.5차원(2.5D) 패키징 협업도 넓히고 있다.삼성전자(왼쪽)와 SK하이닉스의 부스. [사진=권서아 기자]삼성전자는 메모리와 파운드리, 패키징을 한 번에 제공하는 '원스톱(One-stop) 솔루션'을 앞세웠다. 여기에 2.3D·2.5D·3D 패키징과 광(빛) 기반 기술까지 더해 고객별 AI 반도체 수요에 대응한다.지난 27일 경기 수원컨벤션센터에서 열린 '차세대 반도체 패키징 산업전(ASPS) 2026'에서 SK하이닉스는 HBM4와 다음 세대인 HBM4E(7세대)의 고단화와 발열 문제를 해결하기 위한 기술을 집중적으로 소개했다.SK하이닉스의 HBM4를 확대한 모형. [사진=권서아 기자]HBM을 높이 쌓는 기반은 '어드밴스드 매스리플로우-몰디드언더필(MR-MUF)'이다. 반도체 칩을 모두 쌓아 구운 뒤 칩 사이 공간을 액체 형태의 보호재로 채운다.SK하이닉스는 HBM3(4세대)부터 적용해온 MR-MUF를 HBM4·HBM4E로 확장하고 있다. 전시장에서는 8단·12단을 넘어 16단 HBM까지 대응하는 기술 로드맵을 공개했다.SK하이닉스 관계자는 "대역폭(처리해야 할 신호)이 커질수록 파워(Power)를 많이 쓰기 때문에 열 관리가 중요해진다"고 말했다.SK하이닉스가 개발한 iHBM 기술. [사진=권서아 기자]SK하이닉스가 이번 전시에서 강조한 건 'iHBM(ICE-HBM)'이다. HBM 내부에 전기가 통하지 않으면서 열 전도성이 높은 실리콘(Si) 기반 ICE를 추가해 방열 성능을 높이는 기술이다.기존 HBM은 실리콘과 금속, 에폭시 몰딩 컴파운드(High-K EMC) 등 여러 소재가 겹쳐 있어 내부에서 발생한 열이 빠져...