SK하이닉스, 산학 공동특허 5건 시상…차세대 메모리 기술 발굴

고속 데이터 전송·전력 효율 높이는 회로 기술 최우수상 차세대 전극·고온 ALD·CVD·메모리 인터페이스 기술도 선정 [아이뉴스24 권서아 기자] SK하이닉스가 대학과 공동 연구를 통해 개발한 차세대 메모리 관련 특허 5건을 선정하고 기술 발굴에 나섰다.SK하이닉스는 16일 경기 이천캠퍼스에서 ‘2026 산학연구과제 우수발명 시상식’을 열고 지난해 출원한 산학특허 26건을 심사해 최우수상 1건, 우수상 1건, 장려상 3건 등 총 5건을 선정했다고 밝혔다.SK하이닉스는 16일 이천캠퍼스 영빈관에서 '2026 산학연구과제 우수발명 시상식'을 열었다. [사진=SK하이닉스]최우수상은 서울대 최우석 교수의 ‘차세대 다중 레벨 신호 전송을 위한 회로 설계’ 관련 특허가 받았다. 연산 칩과 메모리 사이에서 데이터를 빠르게 전송하면서 전력 소모를 줄이고 고속 동작 과정에서 발생하는 전원 잡음을 낮추는 기술이다.연구진은 3단계 전압 신호로 데이터를 전송하는 ‘PAM3’ 방식의 회로 설계를 개선했다. 이를 통해 고속 데이터 전송 과정에서 발생할 수 있는 신호 불안정성을 줄였으며, 실측을 통해 기존 방식보다 안정적인 전송 성능을 확인했다. 해당 특허는 SK하이닉스와 서울대가 공동 출원했다.인공지능(AI) 메모리에서는 고대역폭 메모리(HBM)와 같은 메모리와 연산 칩 사이의 데이터 이동 효율도 중요하다. 데이터 처리량이 늘어날수록 인터페이스에서 발생하는 전력 소모와 신호 안정성이 시스템 성능을 좌우하기 때문이다.우수상에는 연세대 김형준 교수의 차세대 메모리용 전극 물질 및 소자 특성 제어 기술이 선정됐다. 새로운 소재나 추가 공정을 적용하지 않고 하나의 공정 변수를 조절해 전극과 소자의 특성을 바꾸는 기술이다. 공정 조건에 따른 물성과 소자 특성을 정량화해 실제 제품 개발에 적용할 수 있도록 한 점이 높은 평가를 받았다.장려상은 서울대 황철성 교수의 수직형 SOM 셀 물질 증착용 고온 원자층증착(ALD)·화학기상증착(CVD) 공정, 서울과기대 최병준 교수의 차세대 메모리용 고온 ALD·CVD 전구체 및 공정, 한양대 한재덕 교수의 UFS 5.0 및 차세대 M-PHY 고속 인터페이스 회로 관련 특허가 각각 받았다.SK하이닉스는 2013년부터 매년 산학연구과제 우수발명 시상식을 열고 대학과 공동으로 수행한 연구 가운데 기술적 성과와 특허 가치가 높은 연구를 선정해 시상하고 있다.차선용 SK하이닉스 미래기술연구원장은 “산학협력으로 발굴된...