삼성·SK하이닉스, 美 핫칩스서 차세대 HBM 기술 맞대결

권서아 기자 입력 2026.08.10 10:44 삼성, HBM4 로직 베이스다이 진화 방향 발표 SK하이닉스, 첨단 패키징 전면에…엔비디아·AMD·구글 등 참가 AI 메모리 경쟁 '속도·용량' 넘어 연산·적층 기술로 확대 [아이뉴스24 권서아 기자] 삼성전자와 SK하이닉스가 이달 미국에서 열리는 반도체 학회 '핫 칩스(Hot Chips) 2026'에서 차세대 고대역폭 메모리(HBM) 기술을 나란히 발표한다.10일 핫 칩스에 따르면 삼성전자와 SK하이닉스는 오는 23~25일(현지시간) 미국 스탠퍼드대에서 열리는 행사에 참가한다. 양사는 첫날 오전 열리는 '메모리 기술(Memory Technology)' 튜토리얼에서 미국 메모리 업체 마이크론에 이어 각각 연단에 오른다. 삼성전자는 HBM 베이스다이(최하단 층), SK하이닉스는 HBM 첨단 패키징(반도체 후공정)을 주제로 발표한다.삼성전자(왼쪽), SK하이닉스 사옥 전경. [사진=각 사]삼성, HBM '두뇌' 베이스다이 전면에…PIM·CXL도 공개삼성전자 발표는 HBM4(6세대)·HBM4E(7세대)·HBM5(8세대) 베이스다이 설계를 담당하는 한상욱 PL이 맡는다. 발표 제목은 'HBM 베이스다이: 로직 공정을 활용해 HBM은 앞으로 어떻게 진화할 것인가'다.베이스다이는 적층된 D램의 최하단 층에서 그래픽처리장치(GPU) 등 연산장치와 연결돼 데이터 입출력과 신호·전력 등을 제어한다.'나노코리아 2026' 삼성전자 부스에 올해 2월 세계 최초로 고객사에 공급한 HBM4와 지난 5월 첫 샘플을 출하한 HBM4E가 전시돼 있다. 두 제품은 업계 최초 1c D램과 4나노 파운드리 기반 로직 베이스 다이를 적용했다. 2026.07.09 [사진=권서아 기자]HBM4부터 메모리와 GPU를 연결하는 데이터 입출력(I/O) 통로가 HBM3E(5세대)의 1024개에서 2048개로 두 배 늘어나면서 베이스다이의 역할도 커지고 있다.삼성전자는 HBM4에 10나노급 6세대(1c) D램과 4나노 로직 베이스다이를 적용했다. 핀당 11.7초당 기가비트(Gbps)를 안정적으로 구현하고 최대 13Gbps, 단일 스택 기준 최대 3.3초당 테라바이트(TB/s)의 대역폭을 지원한다.메모리와 파운드리(반도체 위탁생산)를 함께 보유한 강점을 고객 맞춤형 HBM으로 확장한다는 전략이다.삼성전자의 LPDDR5X 제품 이미지. [사진=삼성전자]삼성은 25일 별도 메모리 세션에서도 연산 기능을 메모리에 넣은...