삼성, 세미콘 타이완서 'CUBE' 전략 공개'...기존보다 성능 8배↑

용량·최적화·대역폭·효율로 메모리 한계 돌파 zHBM, HBM4E보다 성능 8배 ↑ 목표 차세대 HBM5·zNAND-O 메모리 개발 속도 D램·낸드 모두 세계 1위…생산능력 많아 [아이뉴스24 권서아 기자] 삼성전자가 메모리 기술 한계 극복을 위한 '큐브(CUBE)' 전략을 공개하고 차세대 AI 메모리 'zHBM' 개발에 속도를 낸다. zHBM은 다음 세대 제품인 7세대 고대역폭 메모리(HBM4E) 대비 최대 8배 높은 성능을 목표로 한다.최장석 삼성전자 반도체(DS)부문 메모리사업부 상품기획팀장(상무)은 1일 대만 타이베이에서 열린 '세미콘 타이완 2026'에서 'CUBE' 전략을 공개했다. 이 전략은 △용량(Capacity) △최적화(Utilization) △대역폭(Bandwidth) △전력·열 효율(Efficiency)을 의미한다.최장석 삼성전자 DS부문 메모리사업부 상품기획팀장(상무)이 1일 타이베이에서 열린 세미콘 타이완 2026에서 메모리 기술 한계 극복을 위한 'CUBE' 전략을 발표했다. [사진=삼성전자]삼성전자 zHBM 목업. [사진=삼성전자]차세대 메모리 'zHBM'은 AI 가속기(GPU·NPU 등) 옆에 HBM을 배치하는 기존 방식과 달리 가속기 위에 HBM을 직접 쌓아 데이터 이동 거리를 줄인다.CUBE...용량·최적화·대역폭·효율로 한계 돌파최 상무는 "인쇄회로기판(PCB) 면적에 제한되지 않고, 보드 면적을 키우지 않고도 수직으로 확장해 메모리 용량을 늘릴 것"이라며 "3차원(3D)은 단순히 쌓는 것이 아니라 각 층을 어떻게 활용하느냐가 핵심"이라고 말했다.이어 "삼성은 데이터 처리 지연을 없애기 위해 로직(연산칩)과 메모리 배치를 최적화하고 있다"며 "(칩) 다이(Die) 사이의 거리를 획기적으로 단축함으로써 수직 고속도로를 형성해 대역폭(신호를 처리하는 층)을 획기적으로 개선할 수 있다"고 설명했다.전력·열 효율과 관련해서는 "3D의 최종 목표는 단일 비트(데이터의 단위)의 데이터를 이동시키는 데 필요한 에너지를 줄이는 것"이라며 "구조적 효율성을 높여 와트(W)당 성능을 극대화하고 있다"고 밝혔다.최장석 삼성전자 DS부문 메모리사업부 상품기획팀장(상무)이 1일 타이베이에서 열린 세미콘 타이완 2026에서 메모리 기술 한계 극복을 위한 'CUBE' 전략을 발표했다. [사진=삼성전자]HBM5·zNAND-O 등 메모리 개발 속도삼성전자는 HBM2(2세대)부터 HBM4E, HBM5(8세대...