인텔-ASML, '하이 NA EUV' 도입 가속화 협력

인텔 Fab 25에 위치한 ASML의 EXE 5000 하이 NA EUV 장비. [사진=인텔 제공] [아이티비즈 김문구 기자] 인텔 파운드리와 ASML이 하이 NA(High Numerical Aperture, 고개구율) 극자외선(EUV)의 업계 도입 가속화를 위해 협력한다. 양사는 이번 주 미국 캘리포니아 몬터레이에서 진행되는 SPIE 포토마스크 테크놀로지 + 차세대 극자외선 공정 컨퍼런스에서 하이 NA EUV 리소그래피 기술의 양산 적용 및 향후 도입을 이끌 주요 기술의 진전 상황을 공개한다고 8일 밝혔다. 하이 NA 기술은 현재 인텔 파운드리의 대량 양산 공정에 지속적으로 적용 중이다. 초기 장비 인증 및 테스트, R&D 분야는 물론, 코드명 '팬서 레이크(Panther Lake)'인 인텔 코어 울트라(Ultra) 시리즈 3 프로세서의 일부 레이어 양산을 포함해 현재까지 100만 장 이상의 웨이퍼 공정에 적용됐다. 인텔 18A 공정의 일부 레이어에 하이 NA를 적용해 제조된 제품들은 기존 NXE 플랫폼으로 패턴을 형성한 동일 레이어와 비교했을 때 상회하거나 대등한 수준의 성능을 지속적으로 보이고 있다. 고객은 6인치 마스크 내에서 층별 배치(floor-planning)를 계획하거나, 인텔 파운드리의 스티칭(stitching) 기능 및 공정 설계 키트(PDK) 솔루션을 활용하여 기존 업계 마스크 규격 그대로 하이 NA의 이점을 누릴 수 있다. 인텔 파운드리는 지난 3년 이상 마스크 생태계를 통합하기 위한 대형 마스크 포맷 이니셔티브를 주도해 왔다. ASML, 마스크 제조사, 자동화 공급업체, EA 파트너, 소재 공급업체 등과 긴밀히 협력하여 향후 하이 NA 확장에 필요한 표준, 인프라 및 기술 발전을 지원하고 있다. 크리스토프 푸케 ASML 사장 겸 CEO는 "ASML은 하이 NA 분야에서 인텔 파운드리의 선구적인 역할과 6인치 마스크로 현재 가치를 창출해 내는 혁신, 그리고 6x12인치 마스크로의 진화를 오랫동안 지원해 온 점을 높이 평가한다"고 말했다. 나가 찬드라세카란 인텔 수석 부사장 겸 인텔 파운드리 공동 총괄 매니저는 "인텔 파운드리는 리소그래피 역량 측면에서 스티칭(Stitching) 기술의 적용 여부와 관계없이 6인치 마스크 상에서 하이 NA를 단기적으로 지원하는 것과 6x12인치 마스크로 전환하는 데 집중하고 있다"며 "앞으로도 이러한 전환을 실현하기 위해 ASML 및 업계 전체와 긴밀히...